Toshiba y Sandisk fábrica de semiconductores de 300nm

Toshiba y SanDisk llevaron a cabo la apertura de Fab 4, la planta de fabricación de semiconductores de 300mm más reciente en Yokkaichi Operations de Toshiba, en la Prefectura de Mie, Japón.Respondiendo a la creciente demanda de memoria NAND flash utilizada en una amplia variedad de aplicaciones digitales, incluyendo reproductores de medios digitales, teléfonos móviles, computadoras personales y tarjetas de memoria, Toshiba inició en agosto del 2006 la construcción de Fab 4.Se espera que Fab 4 inicie la producción en masa en diciembre del 2007 y alcance una capacidad de producción de 80 mil semiconductores al mes en el segundo semestre del 2008. La fab aún tiene espacio para ampliar su capacidad y una mayor inversión podría elevar la producción a 210 mil semiconductores al mes, en respuesta al incremento que se proyecta en la demanda del mercado a futuro. En un inicio, Fab 4 empleará la innovadora tecnología de proceso de 56 nanómetros (nm) y hay planes para hacer la transición gradual a la tecnología de 43 nm, a partir de marzo.”Toshiba y nuestro socio SanDisk están contentos de celebrar la construcción de esta nueva planta”, aseguró el Shozo Saito, VP corporativo de Toshiba Corporation y presidente & CEO de Semiconductor Company de Toshiba. “Fab 4 incluirá capacidades de manufactura de clase mundial, tanto en escala como en productividad. Nos ayudará a fortalecer nuestro liderazgo en el mercado global de memorias NAND flash de más alta densidad, y ofrecerán un motor de crecimiento poderoso a ambas compañías”.Por su parte, Eli Harari, director ejecutivo y presidente de SanDisk Corporation, afirmó: “Fab 4 es un testimonio del éxito de la excelente sociedad y compromiso a largo plazo entre Toshiba y SanDisk. El enorme tamaño y alcance tecnológico de Fab 4 reflejan nuestra confianza y optimismo en el futuro, y creemos que nos permitirá satisfacer la creciente demanda de almacenamiento flash de nuestros clientes globales en los próximos años”.